FPN660A_D27Z

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Especificaciones

Número de pieza

FPN660A_D27Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 60V 3A TO-226
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FPN660A_D27Z.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 200mA, 2A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-226
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

75MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 75MHz 1W Through Hole TO-226
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

FPN660

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FPN560

Descripción: TRANS NPN 60V 3A TO-226

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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