FQA70N10

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Especificaciones

Número de pieza

FQA70N10
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

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Descripción

MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQA70N10.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3PN
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

214W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 70A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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