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Imagen FQA8N100C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA8N100C

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Especificaciones

Número de pieza

FQA8N100C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQA8N100C.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-3PN
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

1.45 Ohm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

225W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Otros nombres

FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

70nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

1000V
Descripción detallada

N-Channel 1000V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-3PN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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