FQD3P50TM-AM002BLT

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Especificaciones

Número de pieza

FQD3P50TM-AM002BLT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

QF -500V 4.9OHM DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

FQD3P50TM-AM002BLT.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

4.9 Ohm @ 1.05A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 50W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FQD3P50TM_AM002BLT
FQD3P50TM_AM002BLT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo

Lead free
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

P-Channel 500V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.1A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FQD3P50TM-AM002BLT".

FQD3P50TF

Descripción: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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