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Imagen FQI13N06LTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQI13N06LTU

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Especificaciones

Número de pieza

FQI13N06LTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQI13N06LTU.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK (TO-262)
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

110 mOhm @ 6.8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.75W (Ta), 45W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.4nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 13.6A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.6A (Tc)

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