FQP6N60C_F080

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Especificaciones

Número de pieza

FQP6N60C_F080
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FQP6N60C_F080.pdf
2.FQP6N60C_F080.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

2 Ohm @ 2.75A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

810pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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FQP65N06

Descripción: MOSFET N-CH 60V 65A TO-220

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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