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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > FQPF13N10L

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Imagen FQPF13N10L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQPF13N10L

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Especificaciones

Número de pieza

FQPF13N10L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQPF13N10L.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 4.35A, 10V
La disipación de energía (máximo)

30W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 8.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8.7A (Tc)

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