FQT1N80TF-WS

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Especificaciones

Número de pieza

FQT1N80TF-WS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FQT1N80TF-WS.pdf
2.FQT1N80TF-WS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-3
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

20 Ohm @ 100mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.1W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

FQT1N80TF-WSCT
FQT1N80TF_WSCT
FQT1N80TF_WSCT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.2nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Tc)

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FQT2P25TF

Descripción: MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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