FW297-TL-2W

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Especificaciones

Número de pieza

FW297-TL-2W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FW297-TL-2W.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.6V @ 1mA
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

58 mOhm @ 4.5A, 10V
Potencia - Max

1.8W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

FW297-TL-2WOSCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

19 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate, 4V Drive
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4.5A 1.8W 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

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