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Casa > Productos > Aisladores > Optoisolators-transistor, salida fotovoltaica > H11A817B3SD

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Imagen H11A817B3SD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817B3SD

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Especificaciones

Número de pieza

H11A817B3SD
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

H11A817B3SD.pdf
Salida de voltaje - (Max)

70V
Voltaje - Aislamiento

5300Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)

1.2V
VCE de saturación (Max)

200mV
Tiempo de encendido / apagado (típico)

-
Paquete del dispositivo

4-SMD
Serie

-
Tiempo de subida / bajada (típico)

2.4µs, 2.4µs
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

4-SMD, Gull Wing
Tipo de salida

Transistor
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 100°C
número de canales

1
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

DC
Descripción detallada

Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-SMD
Relación de transferencia de corriente (mín)

130% @ 5mA
Relación de transferencia de corriente (máx)

260% @ 5mA
Corriente - Salida / Canal

50mA
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)

50mA

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