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Casa > Productos > Aisladores > Optoisolators-transistor, salida fotovoltaica > H11A817W
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4764742Imagen H11A817WAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11A817W

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Especificaciones
  • Número de pieza
    H11A817W
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    H11A817W.pdf
  • Salida de voltaje - (Max)
    70V
  • Voltaje - Aislamiento
    5300Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    1.2V
  • VCE de saturación (Max)
    200mV
  • Tiempo de encendido / apagado (típico)
    -
  • Paquete del dispositivo
    4-DIP
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    2.4µs, 2.4µs
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Tipo de salida
    Transistor
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 100°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    DC
  • Descripción detallada
    Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Relación de transferencia de corriente (mín)
    50% @ 5mA
  • Relación de transferencia de corriente (máx)
    600% @ 5mA
  • Corriente - Salida / Canal
    50mA
  • Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)
    50mA

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