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Casa > Productos > Aisladores > Optoisolators-transistor, salida fotovoltaica > H11G1M
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226027Imagen H11G1MAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G1M

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Especificaciones
  • Número de pieza
    H11G1M
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    H11G1M.pdf
  • Salida de voltaje - (Max)
    100V
  • Voltaje - Aislamiento
    4170Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    1.3V
  • VCE de saturación (Max)
    1V
  • Tiempo de encendido / apagado (típico)
    -
  • Paquete del dispositivo
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Tipo de salida
    Darlington with Base
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 100°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    9 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    DC
  • Descripción detallada
    Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Relación de transferencia de corriente (mín)
    1000% @ 10mA
  • Relación de transferencia de corriente (máx)
    -
  • Corriente - Salida / Canal
    -
  • Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)
    60mA

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Descripción: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

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