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HGT1N30N60A4D

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Especificaciones
  • Número de pieza
    HGT1N30N60A4D
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HGT1N30N60A4D.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 30A
  • Paquete del dispositivo
    SOT-227B
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    255W
  • Paquete / Cubierta
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • termistor NTC
    No
  • Tipo de montaje
    Chassis Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Descripción detallada
    IGBT Module Single 600V 96A 255W Chassis Mount SOT-227B
  • Corriente - corte del colector (Max)
    250µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    96A
  • Configuración
    Single

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