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Imagen HUF76639P3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUF76639P3

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Especificaciones

Número de pieza

HUF76639P3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

HUF76639P3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

26 mOhm @ 51A, 10V
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

Q1053436
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

86nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 51A (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

51A (Tc)

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