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Imagen HUFA75332G3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HUFA75332G3

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Especificaciones

Número de pieza

HUFA75332G3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 60A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HUFA75332G3.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 60A, 10V
La disipación de energía (máximo)

145W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

85nC @ 20V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 60A (Tc) 145W (Tc) Through Hole TO-247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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