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IRFM210BTF_FP001

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Especificaciones

Número de pieza

IRFM210BTF_FP001
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 0.77A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRFM210BTF_FP001.pdf
2.IRFM210BTF_FP001.pdf
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 390mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 770mA (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

770mA (Tc)

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