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J113_D26Z

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Especificaciones
  • Número de pieza
    J113_D26Z
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    JFET N-CH 35V 625MW TO92
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    J113_D26Z.pdf
  • Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id
    500mV @ 1µA
  • Tensión - Breakdown (V (BR) GSS)
    35V
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Resistencia - RDS (on)
    100 Ohms
  • Potencia - Max
    625mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Descripción detallada
    JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3
  • Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0)
    2mA @ 15V
  • Número de pieza base
    J113

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