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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSD1691GS
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6381727Imagen KSD1691GSAMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSD1691GS

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Especificaciones
  • Número de pieza
    KSD1691GS
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 60V 5A TO-126
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    KSD1691GS.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-126-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.3W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Otros nombres
    KSD1691GS-ND
    KSD1691GSFS
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    19 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 2A, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    10µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    5A
  • Número de pieza base
    KSD1691

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