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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSD560RTU
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KSD560RTU

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Especificaciones
  • Número de pieza
    KSD560RTU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.KSD560RTU.pdf
    2.KSD560RTU.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 3mA, 3A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-220-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.5W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 5A 1.5W Through Hole TO-220-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    2000 @ 3A, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    5A
  • Número de pieza base
    KSD560

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