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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSD882YS
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3765925Imagen KSD882YSAMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSD882YS

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Especificaciones
  • Número de pieza
    KSD882YS
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 30V 3A TO-126
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    KSD882YS.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    30V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-126-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    90MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 3A 90MHz 1W Through Hole TO-126-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    160 @ 1A, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A
  • Número de pieza base
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