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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSE45H11TU

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KSE45H11TU

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Especificaciones

Número de pieza

KSE45H11TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 80V 10A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.KSE45H11TU.pdf
2.KSE45H11TU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

1.67W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

KSE45H11TU-ND
KSE45H11TUFS
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

16 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

40MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 1.67W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A
Número de pieza base

KSE45H

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