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6140753Imagen MBR5H100MFST3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MBR5H100MFST3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MBR5H100MFST3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MBR5H100MFST3G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    730mV @ 5A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    100V
  • Paquete del dispositivo
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Otros nombres
    MBR5H100MFST3G-ND
    MBR5H100MFST3GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Schottky 100V 5A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 100V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    5A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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