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13789Imagen MBR830MFST1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MBR830MFST1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MBR830MFST1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 30V 8A 5DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MBR830MFST1G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    700mV @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    30V
  • Paquete del dispositivo
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Otros nombres
    MBR830MFST1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -40°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • Descripción detallada
    Diode Schottky 30V 8A Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    200µA @ 30V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    8A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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