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6312034Imagen MBRD660CTGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MBRD660CTG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MBRD660CTG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 3A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MBRD660CTG.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    700mV @ 3A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    60V
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    SWITCHMODE™
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    MBRD660CTG-ND
    MBRD660CTGOS
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    5 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 60V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 60V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    3A
  • Número de pieza base
    MBRD660CT

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