MBT3906DW1T2G

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Especificaciones

Número de pieza

MBT3906DW1T2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBT3906DW1T2G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA
Tipo de transistor

2 PNP (Dual)
Paquete del dispositivo

SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie

-
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

MBT3906DW1T2G-ND
MBT3906DW1T2GOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

200mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MBT6429DW1T1G

Descripción: TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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