MC1413BDR2G

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Especificaciones

Número de pieza

MC1413BDR2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MC1413BDR2G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo de transistor

7 NPN Darlington
Paquete del dispositivo

16-SOIC
Serie

-
Potencia - Max

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

MC1413BDR2GOS
MC1413BDR2GOS-ND
MC1413BDR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SOIC
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

-
Corriente - colector (Ic) (Max)

500mA
Número de pieza base

MC1413B

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MC1413BDR2G".

MC14099BDWR2G

Descripción: IC LATCH 8BIT ADDRESS 16-SOIC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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