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Imagen MCH3333A-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MCH3333A-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

MCH3333A-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MCH3333A-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70FL/MCPH3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

215 mOhm @ 1A, 4V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Temperatura de funcionamiento

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

240pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.8nC @ 4V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SC-70FL/MCPH3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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