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Imagen MCH3383-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MCH3383-TL-H

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Especificaciones

Número de pieza

MCH3383-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MCH3383-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @Id

800mV @ 1mA
Vgs (Max)

±5V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70FL/MCPH3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

69 mOhm @ 1.5A, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

3-SMD, Flat Leads
Otros nombres

MCH3383-TL-H-ND
MCH3383-TL-HOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.2nC @ 2.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

0.9V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70FL/MCPH3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A (Ta)

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