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MCT2E

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MCT2E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MCT2E.pdf
  • Salida de voltaje - (Max)
    30V
  • Voltaje - Aislamiento
    5300Vrms
  • Voltaje hacia delante (Vf) (típico)
    1.25V
  • VCE de saturación (Max)
    400mV
  • Tiempo de encendido / apagado (típico)
    1.1µs, 50µs
  • Paquete del dispositivo
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Tiempo de subida / bajada (típico)
    -
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Tipo de salida
    Transistor with Base
  • Otros nombres
    MCT2EGI
    MCT2EQT
    MCT2EQT-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 100°C
  • número de canales
    1
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    DC
  • Descripción detallada
    Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Relación de transferencia de corriente (mín)
    20% @ 10mA
  • Relación de transferencia de corriente (máx)
    -
  • Corriente - Salida / Canal
    50mA
  • Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)
    100mA

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