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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJ11032G
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2552639Imagen MJ11032GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ11032G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJ11032G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJ11032G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    120V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    3.5V @ 500mA, 50A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    300W
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    TO-204AE
  • Otros nombres
    MJ11032GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    23 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 25A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    2mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    50A

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