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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJ21196G
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3633195Imagen MJ21196GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ21196G

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500+
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1000+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJ21196G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 250V 16A TO3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJ21196G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    250V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    4V @ 3.2A, 16A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-204 (TO-3)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    250W
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    TO-204AA, TO-3
  • Otros nombres
    MJ21196GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    4 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    4MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 16A 4MHz 250W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    25 @ 8A, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    16A

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Descripción: RES 21K OHM 1/8W 1% AXIAL

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