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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJ4502G
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2251211Imagen MJ4502GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJ4502G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJ4502G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 100V 30A TO3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJ4502G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 750mA, 7.5A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TO-204 (TO-3)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    200W
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    TO-204AA, TO-3
  • Otros nombres
    MJ4502GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    9 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    2MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 30A 2MHz 200W Through Hole TO-204 (TO-3)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    25 @ 7.5A, 2V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    30A

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