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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJD31CTF
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5269844Imagen MJD31CTFAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD31CTF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJD31CTF
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 100V 3A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJD31CTF.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.56W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    MJD31CTFCT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    3MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Surface Mount D-Pak
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    50µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A
  • Número de pieza base
    MJD31

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