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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJD45H11G
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157191Imagen MJD45H11GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD45H11G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJD45H11G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 80V 8A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJD45H11G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    80V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 400mA, 8A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.75W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    MJD45H11G-ND
    MJD45H11GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    6 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    90MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    40 @ 4A, 1V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    8A
  • Número de pieza base
    MJD45H11

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