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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJF44H11

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Imagen MJF44H11

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJF44H11

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Especificaciones

Número de pieza

MJF44H11
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 80V 10A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MJF44H11.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

MJF44H11OS
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

50MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 10A 50MHz 2W Through Hole TO-220FP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

1µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

10A

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