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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJH11017

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6400162

Imagen MJH11017

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJH11017

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Especificaciones

Número de pieza

MJH11017
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP DARL 150V 15A TO218
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MJH11017.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

150V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

4V @ 150mA, 15A
Tipo de transistor

PNP - Darlington
Paquete del dispositivo

SOT-93
Serie

-
Potencia - Max

150W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-218-3
Otros nombres

MJH11017OS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 150V 15A 3MHz 150W Through Hole SOT-93
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

400 @ 10A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

1mA
Corriente - colector (Ic) (Max)

15A

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