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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MM74C910N

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MM74C910N

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Especificaciones

Número de pieza

MM74C910N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC RAM 256 PARALLEL 18DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

-
Suministro de voltaje

4.75 V ~ 5.25 V
Tecnología

RAM
Paquete del dispositivo

18-PDIP
Serie

-
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

18-DIP (0.300", 7.62mm)
Otros nombres

74C910
74C910N
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256b (64 x 4)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

RAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descripción detallada

RAM Memory IC 256b (64 x 4) Parallel 500ns 18-PDIP
Número de pieza base

74C910
Tiempo de acceso

500ns

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