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1835157Imagen MMBD2835LT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBD2835LT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBD2835LT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 35V 100MA SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBD2835LT1G.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    1.2V @ 100mA
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    35V
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Velocidad
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    4ns
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMBD2835LT1GOSCT
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Anode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 35V 100mA (DC) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100nA @ 30V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    100mA (DC)
  • Número de pieza base
    MMBD2835

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Descripción: DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3

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Descripción: DIODE ARRAY GP 240V 225MA SOT323

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Descripción: DIODE ARRAY GP 240V 225MA SOT23

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Descripción: DIODE ARRAY GP 50V 100MA SOT23-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE ARRAY GP 30V 100MA SOT23-3

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Descripción: DIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT23

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Descripción: DIODE ARRAY GP 50V 100MA SOT23-3

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