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3487115Imagen MMBD301LT3GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBD301LT3G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBD301LT3G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOT-23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBD301LT3G.pdf
  • Tensión - inversa de pico (máxima)
    30V
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Resistencia @ Si, F
    -
  • La disipación de energía (máximo)
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMBD301LT3G-ND
    MMBD301LT3GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Schottky - Single
  • Descripción detallada
    RF Diode Schottky - Single 30V 200mW SOT-23-3 (TO-236)
  • Capacitancia Vr, F
    1.5pF @ 15V, 1MHz
  • Número de pieza base
    MMBD301

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Descripción: DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23

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Descripción: DIODE ARRAY GP 350V 225MA SOT23

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Descripción: DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOT23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE SWITCH DUAL 7V SOT23

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Descripción: DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOT-23

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