MMBD914LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MMBD914LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MMBD914LT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1V @ 10mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Velocidad

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

4ns
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MMBD914LT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 75V
Corriente - rectificada media (Io)

200mA (DC)
Capacitancia Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz
Número de pieza base

MMBD914

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MMBF170

Descripción: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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