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2179144Imagen MMBF2202PT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBF2202PT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBF2202PT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET P-CH 20V 0.3A SOT323
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBF2202PT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SC-70-3 (SOT323)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    150mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    SC-70, SOT-323
  • Otros nombres
    MMBF2202PT1GOS
    MMBF2202PT1GOS-ND
    MMBF2202PT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 5V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    2.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    P-Channel 20V 300mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

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