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1693185Imagen MMBT5551LT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBT5551LT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBT5551LT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBT5551LT1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    160V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    225mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMBT5551LT1GOS
    MMBT5551LT1GOS-ND
    MMBT5551LT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    36 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    600mA
  • Número de pieza base
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Descripción: TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23

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Descripción: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3

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