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882404Imagen MMBTA14LT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBTA14LT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMBTA14LT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMBTA14LT1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    30V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.5V @ 100µA, 100mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    225mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMBTA14LT1GOS
    MMBTA14LT1GOS-ND
    MMBTA14LT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    36 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    125MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 300mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20000 @ 100mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    300mA
  • Número de pieza base
    MMBTA14

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Descripción: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

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Descripción: TRANS NPN 40V 0.1A SOT-23

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