MMBTH10LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MMBTH10LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MMBTH10LT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

25V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Potencia - Max

225mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MMBTH10LT1GOSDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

-
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

19 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

-
Frecuencia - Transición

650MHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 25V 650MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V
Corriente - colector (Ic) (Max)

-
Número de pieza base

MMBTH10

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MMBTH10LT1G".

MMBTA93LT1G

Descripción: TRANS PNP 200V 0.5A SOT-23

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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