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4248053Imagen MMUN2112LT1AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2112LT1

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMUN2112LT1
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MMUN2112LT1.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    22 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potencia - Max
    246mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    MMUN21**L

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MMU01020C8200FB300

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MMU01020C7509FB300

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Descripción: RES 75 OHM 1% 0.3W MELF 0102

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MMUN2113LT3G

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MMU01020C8201FB300

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Descripción: RES 8.2K OHM 1% 0.3W MELF 0102

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MMUN2112LT1G

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MMU01020Z0000ZB300

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Descripción: RES SMD 0 OHM JUMPER 0.3W 0102

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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