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Imagen MMUN2212LT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2212LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MMUN2212LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MMUN2212LT1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

246mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

MMUN2212LT1GOS
MMUN2212LT1GOS-ND
MMUN2212LT1GOSTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

36 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

MMUN22**L

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