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3226002Imagen MMUN2233LT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2233LT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MMUN2233LT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MMUN2233LT1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potencia - Max
    246mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    MMUN2233LT1GOS
    MMUN2233LT1GOS-ND
    MMUN2233LT1GOSCT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    36 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
    MMUN22**L

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