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MPSA12RLRP

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MPSA12RLRP
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 20V TO-92
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    MPSA12RLRP.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    20V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 10µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    625mW
  • embalaje
    Tape & Box (TB)
  • Paquete / Cubierta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frecuencia - Transición
    -
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 20V 625mW Through Hole TO-92-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20000 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Número de pieza base
    MPSA12

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