MPSA29_D75Z

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Especificaciones

Número de pieza

MPSA29_D75Z
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MPSA29_D75Z.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-92-3
Serie

-
Potencia - Max

625mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

125MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 800mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

500nA
Corriente - colector (Ic) (Max)

800mA
Número de pieza base

MPSA29

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