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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MPSW45RLRE

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Imagen MPSW45RLRE

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MPSW45RLRE

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Especificaciones

Número de pieza

MPSW45RLRE
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN DARL 40V 1A TO-92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MPSW45RLRE.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2mA, 1A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-92 (TO-226)
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

100MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 40V 1A 100MHz 1W Through Hole TO-92 (TO-226)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

25000 @ 200mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A
Número de pieza base

MPSW45

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